BMS İç direnci

Cevapla
atakale
Mesaj Panosu Yöneticisi
Mesajlar: 340
Kayıt: Prş Mar 01, 2018 4:52 pm
Konum: Ankara
İletişim:

BMS İç direnci

Mesaj gönderen atakale » Çrş Mar 29, 2023 12:27 am

BMS iç direncinin akü şarj ve kalitesine etkisi nedir
BMS Dahili direnç, bu parametreyle ters orantılı olarak Akünün sağlığı ve kalitesinin belirgin bir göstergesidir; akünün iç direnci ne kadar yüksekse, sağlık durumu o kadar düşük olur. İç direnç, açık devre voltajı ve bağlı akım yükü ile voltajın ölçülmesiyle hesaplanabilir. Bu iki değer arasındaki fark voltaj düşüşünü gösterecektir. Ayrıca Kayıp Güç=I²xR(direnç) formülünde olacğaı gibi direnç arttıkça akünün ısınması kayıpları artacaktır. Akünün Lifepo4/lityum-ion pillerden kaynaklı direncine ilave olarka BMS nin de iç direncini eklememeiz gerekir. Ardından, Ohm yasasını kullanarak iç direnci hesaplayabilirsiniz.
Ancak, akünün iç direncini bu şekilde hesaplamak zaman alır çünkü Açık devre halinde/OCV'yi yalnızca saküden enerji çekilmiyor durumundayken ölçebilirsiniz. Alternatif olarak, akünün çalışma sırasında ürettiği enerjiyi ölçerek iç direnci Joule kanunu ile hesaplayabilirsiniz. Veya Elektrokimyasal Empedans Spektroskopisini (EIS) kullanarak pilin empedansından direnç değerini elde edebilirsiniz.
Burada BMS nin iç direnci BMS nin şarj kaynağı ile hücrelerin seri bağlantısını sağlayan MOSFET lerin iç direnci olarak hesaplarsak yaklaşık doğru yaklaşımla tarif etmiş oluruz.
MOSFET lerin iç direnci 100mohm ile -1,3mOhm arasında olabilir.
İşte Burada BMS nin kalitesini verimini ve güç kayıplarını anlamamız için iç direncin ne kadar önemli olduğunu hesap edebiliriz.
Eğer bir BMs de kullanılam MOSFET lerin iç direnci yüksekse o BMS nin iç direncide yüksek olacaktır.
Düşük iç dirençli mosfetler pahalı olduğu için, buna dikkat ediniz.
Yukarıdaki bölümde, MOSFET'in RDS(açık) değerinin ihmal edilebilir olduğu düşünülmektedir. durum böyle değil
pratik; önemli miktarda direnç olacaktır. Böylece MOSFET'te kayıplar olacaktır. Dolayısıyla
p MOSFET'lerdeki bu güç dağılımı, BMS çip sıcaklığı tehlikeli seviyelere çıkabilir.
. Bu nedenle, devre için seçilen MOSFET, düşük güce sahip olması için düşük dirençli olmalıdır.
bağlantı noktasında düşük bir sıcaklık artışına sahip olan dağılım.
Infineon'un yeni 60V, 60mΩ Küçük Sinyal OptiMOS™ 606 ailesi, verilen bilgiler ışığında en iyilerden biridir
Hazırlayan: Elektr Müh. İsmail hakkı Özdem
Elektr Müh. İsmail Hakkı Özdem
Çamlıc aM 147. C 4/I
Yenimahalle Ankara 0312 425 2200

Cevapla

“BMS Lifepo4 Lityum Batarya Yönetim Sistemleri” sayfasına dön