TOPCon teknolojisi, hücrenin üst kısmının N tipi yarıiletken ile üretilmesidir .
P-tipi ve N-tipi güneş hücreleri bir silikon wafer dan yapılır. Silikon wafer, yarı iletken haline getirilmek için kimyasal işlemlere tabii tutulur, N tipi ve P tipi arasındaki fark,silikonun içine difüzyonla katılan malzemeden gelir. P tipi hücreler bor ile, N tipi hücreler ise fosfor ile katkılanır. Fosforun bora karşı avantajı borun oksijen nedeniyle bozunabilmesidir ki bu fosfor için geçerli değildir. Ek olarak, fosfor katkısı, levhaya serbest elektronlar ekleyerek verimliliği artırır.
N tipi hücreler PERT, Topcon, HJT ve IBC'ye ayrılır. TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) hücreleri ana temsilcidir. İlk olarak 2013'te tanıtıldılar, ancak üreticiler tarafından yalnızca 2019'dan beri benimsendiler.
TOPCon hücrelerini üretmek için hücrenin arka tarafına tünel oksit ve polisilikon katmanları eklenir. Hücrenin, güç üretimini artıran daha yüksek voltajları dayanmasına yardımcı olur.
TOPCon (tünel oksit pasifleştirilmiş kontaklar) olarak da bilinen poli-Si/SiOx yapılarına dayalı pasifleştirici kontaklar, kristal silikon güneş hücrelerinin verimliliğini artırmak için büyük bir potansiyele sahiptir ve bu da laboratuvar ve endüstriyel hücreler için sırasıyla %26 ve %24'ten fazla verim demektir. . - TOPCon yapılarının üstün pasivasyon kalitesi, silikondaki içsel rekombinasyonu yeniden parametreleştirmeyi gerekli kılmıştır,
-Kontrol katkı maddelerinin ara SiOx katmanı boyunca difüzyonunun sağlanması, pasivasyon ve taşıma özelliklerini optimize etmek için esastır,
- poli-Si katmanının tek taraflı biriktirilmesi, endüstriyel TOPCon hücreleri için işlem karmaşıklığını azaltır bunun için silikon bazlı tünel bağlantıları perovskite-silikon tandem hücreler, TOPCon teknolojisi kullanılarak üretilebilir.
Hazırlayan: Elektrik Müh. İsmail Hakkı Özdem